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生长方法：直拉
透过率：89 - 92
纯度：≥ 99.999 %
密度：2.33 g / cm
型号/掺杂剂：单晶 / P型 / 硼
结构性：紧密型
晶向：< 100 > / < 111 >
电阻率（Ω·cm）：0.1~ 1 径向电阻率变化（%）：P 型 < 6
氧含量与公差ppm：5.0 - 7.8 * + 0.5
径向氧含量变化（%）ppm：< 5
碳含量 ppm：≤ 2.0
金属铁含量 ppm：≤ 1.0
表面金属 ppm 铜/铬/铁/镍≤5.0 铝/锌/钾/钙≤2.0
多晶硅靶材
